Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato Sb), resistività: 2,5-2,7ohm-cm - GESba50D05C1R2pt7BeUS

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (100) +/- 0,23 gradi.
• Dimensioni del wafer: 2" dia x 500 micron 
• Lucidatura della superficie: un lato lucidato a caldo
• Rugosità superficiale: RMS o Ra< 5 A (mediante AFM)
• Doping: Drogato con Sb
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: 2,5-2,7 ohm-cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)                         
• Pacchetto: camera bianca di classe 1000  

Proprietà tipiche:

• Struttura:                          Cubica, a = 5,6754 A
• Densità:                             5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937.4 ^oC
• Conduttività termica:          640