Wafer Ge (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato Ga), resistività: 0,001-0,01 ohm-cm - GEGaa50D05C2R0001US

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (100) +/_0,5 Deg.
• Dimensioni del wafer: 2" dia x 500 micron 
• Lucidatura della superficie: due lati lucidati ad epi
• Rugosità superficiale:   RMS o Ra: ~ 10 A (da AFM)
• Doping: Drogato Ga
• Tipo di conduttore: Tipo P
• Resistività: 0,001-0,01 Ohm/cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)                         
• Pacchetto: camera bianca di classe 1000  

Proprietà tipiche:

• Struttura:                        Cubica, a = 5,6754 A
• Densità:                          5,765 g/cm3
• Punto di fusione:                  937.4 ^oC
• Conduttività termica:       640