Substrato di cristallo A-Z

MTI

Wafer di Si (100), 3 "dia x 0,1 mm, 1sp, tipo P, drogato B, resistività: 30-100 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, drogato P tipo B, R:1-10 ohm.cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato As R<=0,005 ohm.cm - SIAsa50D05C1R0005

MTI

Wafer Si (100), diametro 2" x 0,3 mm, 1SP, tipo N, drogato As R<=0,005 ohm.cm

MTI

Wafer Si (100), diametro 2" x 0,275 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R: 0,2-0,4 ohm-cm - SIBa50D0275C1R02

MTI

Wafer Si (100), diametro 2" x 0,1 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:5-20 ohm.cm - SIBa50D01C1

MTI

Wafer Si (100), diametro 1" x 0,5 mm, 1sp, tipo P, drogato B, R:0,1-1,0 ohm-cm - SiBa25D05C1R01

MTI

Wafer Si (100) tipo N, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, FZ, non drogato, R>1000 ohm-cm - SiUa50D05C2R1000

MTI

Wafer Si (100) diametro 4 "x 0,525 mm 1SP, tipo N drogato P Resistività: 0,1-1 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100) 4 gradi off verso (110), 3 "dia x 0,5 mm, 1 sp, tipo N, drogato P, R:10-30 ohm.cm - SIPa76D05C1deg4R10

MTI

Wafer Si (100) 3" dia x 0,5 mm, 1sp tipo P, drogato B, resistività: 1-10 ohm-cm - SIBa76D05C1R1

MTI

Wafer Si (100) Ø 2" x 1,0 mm, 2SP, FZ, non drogato, resistività: > 10.000 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P, drogato B R:0,1-1,0 ohm.cm - SiBa50D05C2R01

MTI

Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo P, R:0,1-1,0 ohm.cm

MTI

Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, drogato P tipo B, R:0,001-0,005 ohm.cm

MTI

Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, FZ, non drogato, resistività: > 10.000 ohm-cm - SIUa50D05C1R10000

MTI

Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 1SP, FZ, non drogato, resistività: > 5000 ohm-cm

MTI

Wafer Si (100) 2" dia x 0,5 mm t, 1SP, FZ Non drogato, resistività: > 1000 ohm-cm - SIUa50D05C1R1000

MTI

Wafer Si (100) diametro 3 "x 0,5 mm, tipo P 2sp, drogato B, resistività: 0,005-0,028 ohm-cm

MTI

Substrato a cristallo singolo di Si, non drogato (100), 2" diax 1,0 mm 1sp, R>10000 ohm.cm - SiUa50D10C1R10000