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SIAsa50D05C1R0005
Wafer Si (100), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato As R<=0,005 ohm.cm - SIAsa50D05C1R0005
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Wafer Si (100), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato As R<=0,005 ohm.cm - SIAsa50D05C1R0005
MTI
- Silicio a cristallo singolo
- Tipo conduttivo: Tipo N/drogato As
- Resistività: R: <=0,005 ohm-cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività,
ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) - Dimensioni: 50,8 diametro +/- 0,5 mm x 0,5 +/- 0,025 mm
- Orientamento: (100) +/- 1o
- Lucidatura: un lato lucidato
- Rugosità superficiale: < 5A
Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).