MTI  |  SKU: SiBa50D05C2R01

Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P, drogato B R:0,1-1,0 ohm.cm - SiBa50D05C2R01

€54,05


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Wafer Si (100) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo P, drogato B R:0,1-1,0 ohm.cm - SiBa50D05C2R01

MTI

  • Cristallo singolo Si 
  • Tipo conduttivo: Tipo P (drogato B)
  • Resistività: 0,1-1,0 ohm-cm  (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
      si prega di ordinare il nostro
     Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) 
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: (100)
  • Lucidatura: Lucidato su due lati ( 2 SP )
  • Rugosità superficiale: < 5A


Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).

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