MTI  |  SKU: SIUa50D05C1R1000

Wafer Si (100) 2" dia x 0,5 mm t, 1SP, FZ Non drogato, resistività: > 1000 ohm-cm - SIUa50D05C1R1000

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Wafer Si (100) 2" dia x 0,5 mm t, 1SP, FZ Non drogato, resistività: > 1000 ohm-cm - SIUa50D05C1R1000

MTI

Specifiche:
  • Cristallo singolo: Si  
  • Tipo conduttivo: Tipo N, non drogato
  • Resistività: > 1000 ohm-cm
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: (100)
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A RMS


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