Substrato di cristallo A-Z

MTI

wafer Si (510)= Si (100) con errore di taglio di 11,3 gradi verso <100>/<110> , 4 " dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>1000 ohm-cm) - SiUa510ori101D05C1

MTI

Si (111) 5x5x0,5mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm

MTI

Si (111) 10x10x0,5mm, 2SP, tipo P non drogato, R>1000 ohm-cm

MTI

Si (111) 10x10x0,5mm, 2SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm

MTI

Si (111) 10x10x0,5 mm, 1SP, tipo P drogato B, R:1-10 ohm-cm

MTI

Si (111) 10x10x0,5mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm - SiUc101005S1R1000

MTI

Si (111) 10 mm di diametro x 0,35 mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm

MTI

Si (111) 1" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm

MTI

Si (110) 10x10x0,5mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm - SiUe101005S1R1000

MTI

Si (100) 5x5x0,5mm, 1SP, tipo P drogato B, R: 1-10 ohm-cm

MTI

Si (100) 5x5x0,5mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm

MTI

Si (100) 10x10x0,5mm, 2SP, drogato P tipo B, R: 1-32 ohm-cm

MTI

Si (100) 10x10x0,5mm, 2SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm - SiUa101005S2R1000

MTI

Si (100) 10x10x0,5mm, 2SP, drogato N tipo P, R: 5-10,3 ohm-cm

MTI

Si (100) 10x10x0,5mm, 1SP, drogato P tipo B, R:1-10 ohm-cm

MTI

Si (100) 10x10x0,5mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm - SiUa101005S1R1000

MTI

Si (100) 10x10x0,5mm, 1SP, drogato N tipo P, R:1-10 ohm-cm - SIPa101005S1R1

MTI

Si (100) 1" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo P drogato B, R:1-10 ohm-cm

MTI

Si (100) 1" dia x 0,5mm, 1SP, N tipo P drogato, R: 1-10 ohm-cm - SIPa25D05C1R1

MTI

Si (100) 1" dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N non drogato, R >1000 ohm-cm - SiUa25D05C1R1000