MTI  |  SKU: SiBa50D05C1R1

Wafer Si (100), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, drogato P tipo B, R:1-10 ohm.cm

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Wafer Si (100), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, drogato P tipo B, R:1-10 ohm.cm

MTI

  • Si a cristallo singolo, 
  • Tipo conduttivo: Tipo P (drogato B)
  • Resistività: 1-10 ohm.cm
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: (100)
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A


Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).

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