MTI  |  SKU: SiUa50D05C2R1000

Wafer Si (100) tipo N, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, FZ, non drogato, R>1000 ohm-cm - SiUa50D05C2R1000

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Wafer Si (100) tipo N, non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP, FZ, non drogato, R>1000 ohm-cm - SiUa50D05C2R1000

MTI

  • Si a cristallo singolo  
  • Tipo conduttivo: Tipo N, non drogato
  • Resistività: >1000 ohm-cm
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: (100)
  • Lucidatura: Lucidato su due lati
  • Rugosità superficiale: < 5A


Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).

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