Film sottili dalla A alla Z

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Pellicola di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-drogato, 10x5x0.525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Film di CeO2 (40 nm su un lato) su YSZ, <111>10x10x0,5 mm, 1sp - FmCeO2onYSZc101005S1FT40nm

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Film di CeO2 (40 nm su un lato) su YSZ <110> 10x10x0,5 mm - FmCeO2onYSZe101005S1FT40nm

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Film di CeO2 (40 nm su un lato) su YSZ <100> 10x10x0,5 mm - FmCeO2onYSZa101005S1FT40nm

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Film di nitruro di boro su wafer di silicio, 24 nm / 4" -- BN-Si-100-24nm - FmBNonSia100D0525C1FT24nm

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Vetrini per microscopio rivestiti in Au (oro)/Ti (titanio), spessore dello strato d'oro: 50nm (+/- 5nm), vetrino: 75 x 25x1,1 mm, purezza di Au: 4N5 - FmAu50Ti15suVetro752511

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Diapositive per microscopio rivestite in Au (oro)/Ti (titanio), spessore dello strato d'oro: 100nm, vetrino: 75 x 25x1,1 mm, purezza di Au: 4N5 - FmAu100Ti15onGlass752511

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Film di alluminio su wafer di silicio, 3 micron / 4" -- Al-Si-100-3um, Si(100) tipo N, R:1-20 ohm.cm - FmAlonSiPa101D0525C1FT3umR1

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Film di alluminio su wafer di silicio, 3 micron / 4" -- Al-Si-100-3um, Si(100) tipo N, R:<0,005 ohm.cm - FmAlonSiAsa101D0525C1FT3um

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Film di alluminio su wafer di silicio, 3 micron / 4" -- Al-Si-100-3um, Si(100) tipo P drogato B R: 1-20 ohm.cm

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Vetro sodalime rivestito di 500 nm di spessore, 25 mm (L) x 25 mm (L) x 0,7 mm di spessore - FmMoCoatedGlass252507FT500

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Vetro Sodalime rivestito di Mo, spessore 500 nm, 20 mm (L) x 15 mm (L) x 0,7 mm - Vetro rivestito di Mo-201507

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Vetro Sodalime rivestito di Mo di 500 nm di spessore, 100 mm (L) x 100 mm (L) x 1,1 mm di spessore

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Film epitassiale 4H-SiC su 4H-SiC(0001) con 4 gradi di disattivazione tipo P, diametro 2 "x0,33 mm, conc. carrier (0,3-1,9) E16/cc, 2sp, spessore film: 11 um

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Film epitassiale 4H-SiC su 4H-SiC (0001) con 8 gradi di disattivazione, tipo P, diametro 2 "x0,33 mm, conc. portante 1,4 E17/cc, 2sp, spessore 4,3um-Fm4HSCon4HSC50d03C2deg8US

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Pellicola epi-film di Ge di tipo N da 4" su wafer di silicio di tipo N, spessore 0,5 um - FmGeNtypeonSiNtypea101D05C1US

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Diametro 2". Film di InGaAs su InP (SI) (100) Depositato mediante MOCVD, diametro 2" x0,35 mm, 2sp, film:500 nm

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Diametro 2". Film di InGaAs EPI su InP (SI) (100) depositato tramite MOCVD (InP:Fe) Diametro 2" x0,35mm, 2sp, Film:750 nm