MTI  |  SKU: FmPt150Ti10SO300onSiBa050505

Film sottile SiO2+Ti+Pt (111) su substrato di Si, 5x5x0,525mm, 1sp, tipo P, drogato B, (SiO2=300nm, Ti=10nm, Pt(111)=150nm)

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Film sottile SiO2+Ti+Pt (111) su substrato di Si, 5x5x0,525mm, 1sp, tipo P, drogato B, (SiO2=300nm, Ti=10nm, Pt(111)=150nm)

MTI


Specifiche del wafer di silicio:

  • Pellicola: Film sottile SiO2+Ti+Pt(111) su substrato Si (100) (tipo P), 5x5x0,525 mm, 1sp
      • SiO2=300nm
      • Ti=10nm
      • Pt(111)=150nm
  • Resistività: 1-20 ohm.cm   (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
      si prega di ordinare il nostro     Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) 
  • Dimensioni del substrato: 5x5x 0,525 mm
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 20 A RMS
  • Massimo bilancio termico del film di Pt: < 700-750 gradi C/ 1 ora
  • Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per maneggiare il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).

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