MTI  |  SKU: SIAsc50D05C2R0005

Wafer Si (111) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N, drogato As, R:0,005-0,05 ohm.cm - SIAsc50D05C2R0005

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Wafer Si (111) Ø 2" x 0,5 mm, 2SP, tipo N, drogato As, R:0,005-0,05 ohm.cm - SIAsc50D05C2R0005

MTI

  • Silicio a cristallo singolo 
  • Tipo conduttivo: Tipo N/drogato As 
  • Resistività: 0,005-0,05 ohm.cm  (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
      si prega di ordinare il nostro
     Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) 
  • Dimensioni: 50,8 diametro +/- 0,5 mm x 0,5 +/- 0,025 mm
  • Orientamento: (111) +/- 1o
  • Lucidatura: due lati lucidati
  • Rugosità superficiale: < 5A

Opzionale: può essere necessario lo strumento sotto per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare)