MTI  |  SKU: SIUc50D05C1R10000

Wafer Si (111) diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, FZ, non drogato, R> 10.000 ohm-cm - SIUc50D05C1R10000

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Wafer Si (111) diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, FZ, non drogato, R> 10.000 ohm-cm - SIUc50D05C1R10000

MTI

  • Si a cristallo singolo, (FZ)
  • Tipo conduttivo: Non drogato
  • Resistività: > 10000 ohm-cm
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: (111)
  • Lucidatura: Un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A


Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).

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