MTI  |  SKU: SIAsc50D0279C1

Wafer Si (111), diametro 2" x 0,279 mm, 1SP, tipo N, drogato As, R<0,005 ohm-cm - SIAsc50D0279C1

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Wafer Si (111), diametro 2" x 0,279 mm, 1SP, tipo N, drogato As, R<0,005 ohm-cm - SIAsc50D0279C1

MTI

  • Silicio a cristallo singolo 
  • Tipo conduttivo: Tipo N/drogato As 
  • Resistività: <0,005 ohm-cm  (Se si desidera misurare la resistività in modo accurato, 
      si prega di ordinare il nostro
     Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) 
  • Dimensioni: 50,8 diametro +/- 0,5 mm x 0,279 +/- 0,025 mm
  • Orientamento: (111) +/- 1o
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A

Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).