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SiUa50D03C2R10000
Wafer Si (100) Ø 2" x 0,3 mm, 2SP, FZ, non drogato, resistività: > 10.000 ohm-cm
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Wafer Si (100) Ø 2" x 0,3 mm, 2SP, FZ, non drogato, resistività: > 10.000 ohm-cm
MTI
- Cristallo singolo Si
- Tipo conduttivo: Non drogato
- Resistività: > 10000 ohm-cm
- Dimensioni: 2" di diametro x 0,3 mm
- Orientamento: (100)
- Lucidatura: due lati lucidati
- Rugosità superficiale: < 5A
Opzionale: può essere necessario lo strumento sotto per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare)