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CsI Blocco di cristallo singolo 10x10x5,0 mm, rettifica fine - CSI101050SN

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Substrato di cristallo singolo CsPbBr3 (100 ) 10x10x0,5 mm, 1sp

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Pellicola di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-drogato, 10x5x0.525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Film di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) drogato B, 10x10x0,525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Film di Cu su wafer di silicio Ta/SiO2/ 4", Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped 4 "x0.525mm, 1sp

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Film di Cu su wafer di silicio Ta/SiO2/ 4", Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped 4 "x0.525mm, 1sp

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Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P drogato B 10x10x0,525mm, 1sp

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Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped5x5x0,525mm, 1sp

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Film di Cu su wafer di Ta/SiO2/Silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P drogato B 10x10x0,525mm, 1sp

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Substrato metallico di Cu (policristallino) 10x10x0,5 mm, 1 lato lucidato

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Substrato metallico di Cu (policristallino) 10x10x1,0 mm, 1 lato lucidato

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Substrato a cristallo singolo di Cu: (100)+/-1 grado, 10x10x0,5 mm, 1 lato lucidato

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Substrato di cristallo singolo di Cu: (100), 10 mm di diametro x 1,0 mm, 1 lato lucidato - MCCua10D10C1

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Substrato a cristallo singolo di Cu: (100), 10x10x0,5 mm, 1 lato lucidato

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Substrato a cristallo singolo di Cu: (100), 10x10x1,0 mm, 1 lato lucidato - MCCua101010S1

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Substrato a cristallo singolo di Cu: (100), diametro 2" x1,0 mm, 1 lato lucidato - MCCua50D10C1

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Substrato a cristallo singolo di Cu: (100), 5x5x1,0 mm, 1 lato lucidato

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Substrato a cristallo singolo di Cu: (110), 10mmDia. x1,0 mm, 1 lato lucidato,

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Substrato a cristallo singolo di Cu: (110), 10x10x0,5 mm, 1 lato lucidato

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Substrato a cristallo singolo di Cu: (110), 10x10x1,0 mm, 1 lato lucidato - MCCue101010S1