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MTI | SKU:
FmCu100Ta50SO300onSiBa101D05
Film di Cu su wafer di silicio Ta/SiO2/ 4", Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped 4 "x0.525mm, 1sp
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Film di Cu su wafer di silicio Ta/SiO2/ 4", Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped 4 "x0.525mm, 1sp
MTI
Specifiche:
- Wafer SiO2/Si rivestito di Cu (formato 4 pollici)
- Spessore del film di Cu policristallino <111>: 100 nm
- Spessore della barriera di diffusione Ta: 50 nm
- Wafer SiO2/ Si da 4 pollici di diametro (grado Prime)
- Tipo P, drogato B, orientamento <100>, lucidato su un solo lato
- Resistività: 1-20 ohm-cm
- ossido termico: spessore 300 nm
- Rugosità superficiale: come da crescita
- Confezione: Una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100
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