Caricamento...
MTI | SKU:
FmCu400Ta50SO300onSiBa050505
Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped5x5x0,525mm, 1sp
€21,85
Prezzo unitario
/
Non disponibile
Impossibile caricare la disponibilità del ritiro
Consegna e spedizione nell'UE
Consegna e spedizione nell'UE
Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.
Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300...
€21,85
Prezzo unitario
/
Non disponibile
Film di Cu su Ta/SiO2/ Wafer di silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) P-type B-doped5x5x0,525mm, 1sp
MTI
Specifiche:
- Wafer SiO2/Si rivestito di Cu (dimensioni 5x5 mm)
- Spessore del film Cu <111> policristallino: 400 nm
- Spessore della barriera di diffusione Ta: 50 nm
- Wafer SiO2/ Si da 5x5x0,5 mm (Prime Grade)
- Tipo P, drogato B, <100> orientamento, SSP
- Resistività: 1-20 ohm-cm
- ossido termico: 300 nm
- Rugosità superficiale: come da crescita
- Confezione: Una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100
- 10 pezzi per confezione per ordine minimo
Prodotti correlati
 |
|
iO2 |
|
|
|
