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MTI | SKU:
FmCu100Ta20onSiBa100505S1R1
Pellicola di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-drogato, 10x5x0.525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp
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Pellicola di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-drogato, 10x5x0.525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp
MTI
Specifiche:
- Wafer di Si rivestito di Cu (dimensioni 10x5 mm)
- Spessore del film Cu <111> policristallino altamente orientato: 100 nm
- Spessore della barriera di diffusione Ta: 20-50 nm
- Wafer Si di spessore 10x5x 0,5 mm (Prime Grade)
- Tipo P, drogato B, orientamento <100>, SSP
- Resistività: 1-20 ohm-cm
- Rugosità superficiale: come da crescita, RA < 10 nm
- Confezione: Una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100
- 10 pezzi per confezione per ordine minimo
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