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Wafer Si (111) con errore di taglio di 10° verso <112><110>, 4 " dia x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>1000 ohm-cm) - SiUc101d05C1deg10R1000

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Wafer Si (111) con 4 gradi, spento, grado Prime, diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato As, resistività: 0,001-0,005 ohm-cm - SIAsc101D05C1deg4R0001

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Wafer Si (111) con 4 gradi di off, diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività: <0,01 ohm-cm

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Wafer Si (111), diametro 2" x 0,279 mm, 1SP, tipo N, drogato As, R<0,005 ohm-cm - SIAsc50D0279C1

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Wafer Si (111), diametro 2" x 0,279 mm, 1SP, tipo N, drogato P, R:1-10 ohm-cm - SIPc50D0279C1R1

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Wafer Si (111), diametro 2" x 0,3 mm, 1SP, tipo N, drogato As, R<=0,005 ohm-cm

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Wafer Si (111), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato P, R:0,1-1,0 ohm.cm

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Wafer Si (111), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, tipo N, drogato P, R:1-10 ohm.cm

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Wafer Si (111), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, FZ non drogato, R> 5000 ohm-cm

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Wafer Si (111), diametro 2" x 0,5 mm, 1SP, FZ non drogato, R> 1000 ohm-cm

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Wafer Si (111), diametro 3" x 0,5 mm, 1sp, tipo N, non drogato, resistività: > 1000ohm-cm - SIUc76D05C1R1000

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Wafer Si (111), 3" dia x 0,5 mm, 2sp, tipo N, non drogato, resistività: > 1000ohm-cm - SIUc76D05C2R1000

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Wafer di Si (111), diametro 4" x 0,3 mm, drogato N tipo P, 1SP, resistività: 15.000 - 25.000 ohm-cm

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Wafer Si (111), diametro 4" x 0,4 mm, 1SP, tipo N, non drogato, FZ, R>5000 ohm-cm

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Wafer Si (111), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>10.000 ohm-cm) - SIUc101D05C1R10000

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Wafer Si (111), diametro 4" x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>1000 ohm-cm) - SIUc101D05C1R1000

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Wafer Si (111), diametro 4" x 0,45 mm, 1SP, tipo N (drogato P), resistività: 0,4-0,6ohm-cm

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Wafer Si (111), diametro 4 "x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>5000 ohm-cm)

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Wafer Si (111), diametro 4 "x 0,5-0,525 mm, 1SP, tipo N (drogato P), resistività: 1-10 ohm-cm

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Wafer Si (111), diametro 5" x 0,625 mm, 1SP tipo P (drogato B), R:1-10 ohm-cm - SIBc125D0625C1R1US