MTI | SKU:
SIUc101D05C1R5000
Wafer Si (111), diametro 4 "x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>5000 ohm-cm)
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Wafer Si (111), diametro 4 "x 0,5 mm, 1SP, tipo N (non drogato, FZ R>5000 ohm-cm)
MTI
- Cristallo singolo Si
- Conduttività: Tipo N (non drogato)
- Resistività: >5000 ohm-CM
- Dimensioni: 4" di diametro x 0,5 mm
- Orientamento: (111)
- Lucidatura: Un lato lucidato
- Rugosità superficiale: < 5A
Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).