MTI  |  SKU: SIUc76D05C1R1000

Wafer Si (111), diametro 3" x 0,5 mm, 1sp, tipo N, non drogato, resistività: > 1000ohm-cm - SIUc76D05C1R1000

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Wafer Si (111), diametro 3" x 0,5 mm, 1sp, tipo N, non drogato, resistività: > 1000ohm-cm - SIUc76D05C1R1000

MTI

  • Si a cristallo singolo 
  • Conduttività: Tipo N (non drogato)
  • Resistività: > 1000 ohm-CM
  • Dimensioni: 3" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: <111> con orientamento secondario piatto <110> 
  • Lucidatura: Un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A


Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).

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