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MTI

Wafer di Si (111), diametro 6" x 0,65 - 0,7 mm, 1SP tipo P (drogato B) con resistività: 1-10 ohm-cm

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Wafer Si (111), diametro 6" x 0,65 - 0,7 mm, 1SP tipo P (drogato B) con resistività: 5-10 ohm-cm, 25pz/confezione

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Wafer Si (111), grado Prime, diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo N, drogato As, resistività: 0,001-0,005 ohm-cm - SiAsc101D05C1R0001

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Wafer Si (111)4 +/- 0,5 gradi off, 4" dia x 0,525 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività: 0,001 -0,005 ohm-cm

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Wafer Si (111) con 4 gradi di disattivazione, diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo N (drogato P), resistività: 1-10 ohm-cm

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Vaso Si3N4 con rivestimento in SS per fresatrici SFM-3 e SFM-3-II (80 ml) - MJ3SN-80

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Substrato ceramico al nitruro di silicio Si3N4, 10 x 10 x 1,0 mm, lucidato su un lato - CmSi3N4101010S1

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Substrato ceramico al nitruro di silicio Si3N4, 20 x 20 x 1,0 mm, lucidato su un lato - CmSi3N4202010S1

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SiC - 4H (0001), diametro 1" x0,26 mm, un lato lucidato - SC4Hz25D026C1US

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SiC - 4H (0001), 10x10x0,33 mm , faccia Si, 1SP - SC4HZ1010033S1

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SiC - 4H (0001), diametro 2" x0,3 mm, un lato lucidato

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SiC - 4H (0001), diametro 2" x0,33 mm, due lati lucidati - SC4Hz50D033C2US

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SiC - 4H (0001), 5x5x0,3 mm, un lato lucidato

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SiC - 4H (0001), 5x5x0,33 mm, due lati lucidati

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SiC - 4H (0001)con 4 gradi di orientamento <11-20> /<10-10>, 10x10x0,33 mm , faccia Si, 1SP - SC4HZ1010033S1Deg4

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SiC - 4H in asse <0001>+/- 0,5 gradi Diametro 4" x0,35 mm di spessore. Semi-isolante lucidato su due lati (lato Si lucidato con EPI)-1

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SiC - 6H (0001) diametro 8 mm x spessore 0,3 mm, un lato lucidato

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SiC - 6H (0001), 1/4 "x1/4 "x0,26 mm, due lati lucidati

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SiC - 6H (0001), 10x10x0,26 mm, due lati lucidati

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SiC - 6H (0001), 10x10x0,33 mm, due lati lucidati