Wafer Ge - tipo N non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP (111), R >50 ohm.cm - GEUc50D05C1R50US

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (111) +/-0,5 gradi.
• Dimensioni del wafer: diametro 2" x 500 micron 
• Finitura superficiale(RMS o Ra):  lucidato ad epi su un lato < 8 A ( by AFM)
• Doping: Undoped
• Conductor type: N-type
• Resstivity: >50 Ohm/cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)                             
• Pacchetto: camera bianca di classe 1000  

Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754 Å
• Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640