Wafer Ge, tipo N non drogato (100) diametro 3" x 0,5 mm 2 lati lucidati resistività: >50 ohm-cm

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (100) +/_0,5 Deg.
• Dimensioni del wafer: 3" dia x 0,5 mm 
• Lucidatura superficiale: due lati lucidati otticamente
• Finitura superficiale (RMS o Ra) : < 30A
• Doping: Undoped
• Conductor type: N-type
• Resistivity: >50 Ohm/cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    si prega di ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)           
• Confezione: camera bianca di classe 1000 in contenitore per wafer 
  
  

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