Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado tipo N, drogato con Fe 10x10x0,5mm, 1SP

• Chimica: ß-Ga2O3 
  
• Struttura: Monoclino
• Costante di Lattice: a=12,23A, b=3,04A, c=5,80A, ß=103.7°
• Orientamento: <100> +/-1° (si prega di prestare attenzione alla definizione degli assi a, b, c di cui sopra).
• Tipo/Dopante: Tipo N, drogato con Fe
• Dimensioni: 10x10 x 0,5 mm
• Lucidatura: un lato lucidato
• Resistività: <0,01 ohm.cm
• Rugosità superficiale: < 15A
• Useful Area: >80%

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