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GaO101006S1ori201US5
Ga2O3 - Beta, substrato a cristallo singolo, <-201> ori, 10x10x0,6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5
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Ga2O3 - Beta, substrato a cristallo singolo, <-201> ori, 10x10x0,6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5
MTI
Specifiche del substrato:
- Chimica: ß-Ga2O3 (prodotto in Cina)
- Struttura: Monoclino
- Costante di Lattice: a=12,23A, b=3,04A, c=5,80A, ß=103.7°
- Orientamento: <-201> +/-0,7° (si prega di prestare attenzione alla definizione degli assi a, b, c di cui sopra).
- Tipo/Dopante: Tipo N/ drogato con Sn
- Dimensioni: 10x10 x 0,6 mm
- Lucidatura: un lato lucidato
- Rugosità superficiale: < 5A
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