MTI  |  SKU: GaO101006S1ori201US5

Ga2O3 - Beta, substrato a cristallo singolo, <-201> ori, 10x10x0,6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5

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Ga2O3 - Beta, substrato a cristallo singolo, <-201> ori, 10x10x0,6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5

MTI

Specifiche del substrato:
  • Chimica: ß-Ga2O3 (prodotto in Cina)
  • Struttura: Monoclino
  • Costante di Lattice: a=12,23A, b=3,04A, c=5,80A, ß=103.7°
  • Orientamento: <-201> +/-0,7° (si prega di prestare attenzione alla definizione degli assi a, b, c di cui sopra).
  • Tipo/Dopante: Tipo N/ drogato con Sn
  • Dimensioni: 10x10 x 0,6 mm
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A

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