SiC - 6H (0001), 1/4 "x1/4 "x0,26 mm, due lati lucidati

Specifiche del substrato

• Orientamento: <0001> +/-0.5
• Dimensioni: 1/4" x 1/4" x 0,26 +/-0,03 mm
• Lucidato: Lucidato su due lati
• Rugosità superficiale: < 10 A con AFM

Proprietà tipiche del SiC a cristallo singolo

• Peso della formula: 40,10
• Cella unitaria: esagonale
• Costante di Lattice: a =3,08 A       c = 15,117 A
• Sequenza di impilamento: ABCACB (6H)
• Tecnica di crescita: MOCVD 
• Lucidatura: superficie di silicio lucidata
•  Band Gap: 3,03 eV (indiretto)
• Tipo di conducibilità: N
• TTV/Bow/Warp: <25 um
• Densità dei microtubi: <30 cm^-2
• Resistività: 0.02~0.2 ohm-cm
• Costante dielettrica: e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
• Conduttività termica a 300K: 4 W / cm . K
• Durezza: 9 Mohs

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