Wafer SOI: 10x10x0,625mm, 2,5um (drogato P) +1,0 SiO2 +625um Si (drogato P/boron)

Strato del dispositivo

Dimensione:

10x10

Tipo/Dopante:

Tipo N/P drogato

Orientamento:

<1-0-0>+/-0,5 gradi

Spessore:

2,5±0,5µm

Resistività:

1-4 ohm-cm

Finitura:

Lato anteriore lucidato

Ossido termico interrato:

Spessore:

1,0 um +/- 0,1 um

Manipolazione dei wafer:

Tipo/Dopante

Tipo P drogato/B

Orientamento

<1-0-0>+/-0,5 gradi

Resistività:

10-20 ohm.cm

Spessore:

625 +/- 15 um

Finitura:

Come ricevuto (non lucidato)