MTI  |  SKU: SIBc50D028C1R01

Wafer Si (111) diametro 2" x 0,28 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:0,1-10 ohm-cm - SIBc50D028C1R01

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Wafer Si (111) diametro 2" x 0,28 mm, 1SP, tipo P, drogato B, R:0,1-10 ohm-cm - SIBc50D028C1R01

MTI

  • Silicio a cristallo singolo
  • Tipo conduttivo: Tipo P/ drogato al boro 
  • Resistività: 0,1 - 10 ohm-cm (se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    si prega di ordinare il nostro Strumento portatile di prova della resistività a 4 sonde
  • Dimensioni: 50,8 diametro +/- 0,5 mm x 0,28 +/- 0,025 mm
  • Orientamento: (111) +/- 1o
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A
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