MTI  |  SKU: SiUe50D05C1R1000

Wafer Si (110) Ø 2" x 0,5 mm t, 1SP, FZ, non drogato, resistività: >1.000 ohm-cm - SiUe50D05C1R1000

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Wafer Si (110) Ø 2" x 0,5 mm t, 1SP, FZ, non drogato, resistività: >1.000 ohm-cm - SiUe50D05C1R1000

MTI

  • Si a cristallo singolo, 
  • Tipo conduttivo: Non drogato
  • Resistività: >1000 ohm.cm 
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: (110)
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A


Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).

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