Wafer Si (100), diametro 5" x 0,625 mm, 1SP tipo N, drogato P, R: 1-10 ohm-cm,

• Si a cristallo singolo, 
• Conduttività: Tipo N (drogato con P)
• Dimensioni: 5" di diametro x 0,625 mm
• Orientamento: (100) 
• Resistività: 1-10 ohm-cm   (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) 
• Lucidatura: Un lato lucidato
• Rugosità della superficie: < 5A
• Imballaggio: in scatola di supporto per singolo wafer

Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).