Wafer Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo P, drogato B, resistività: 0,001-0,005 ohm-cm

• Cristallo singolo: Si, grado primario
• Conduttività: Tipo P drogato B
• Resistività: 0,001-0,005ohm-cm (se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    si prega di ordinare il nostro Strumento portatile di prova della resistività a 4 sonde.) 
• Dimensioni: 4" di diametro x 0,525 (+/- 0,025) mm
• Orientamento: (100) +/- 0,5 gradi 
• Lucidatura: Lucidato su un lato
• Rugosità superficiale: < 5A

Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).