MTI  |  SKU: SiUa101D05C2R1000

Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N, non drogato, resistività: > 1000 ohm-cm - SiUa101D05C2R1000

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Wafer Si (100), diametro 4" x 0,5 mm, 2SP, tipo N, non drogato, resistività: > 1000 ohm-cm - SiUa101D05C2R1000

MTI

  • Si a cristallo singolo, 
  • Conduttività: Non drogato
  • Tipo: N
  • Resistività: > 1000 ohm-CM
  • Dimensioni: 4" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: (100) 
  • Lucidatura: due lati lucidati
  • Rugosità superficiale: < 5A
Opzionale: può essere necessario lo strumento sotto per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare)

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