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SIBa76D05C2R0005
Wafer Si (100) diametro 3 "x 0,5 mm, tipo P 2sp, drogato B, resistività: 0,005-0,028 ohm-cm
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Wafer Si (100) diametro 3 "x 0,5 mm, tipo P 2sp, drogato B, resistività: 0,005-0,028 ohm-cm
MTI
- Cristallo singolo Si
- Conduttività: Tipo P (drogato B)
- Resistività: 0,005-0,028 ohm-cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività,
ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) - Dimensioni: 3" di diametro x 0,5 mm
- Orientamento: <100> con orientamento piatto <110>.<110>
- Lucidatura: Due lati lucidati
- Rugosità superficiale: < 5A
Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).