MTI  |  SKU: SiBa25D05C1R01

Wafer Si (100), diametro 1" x 0,5 mm, 1sp, tipo P, drogato B, R:0,1-1,0 ohm-cm - SiBa25D05C1R01

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Wafer Si (100), diametro 1" x 0,5 mm, 1sp, tipo P, drogato B, R:0,1-1,0 ohm-cm - SiBa25D05C1R01

MTI

  • Cristallo singolo Si 
  • Tipo conduttivo: Tipo P (drogato B)
  • Resistività: 0,1-1,0 ohm-cm
  • Dimensioni: 1" di diametro x 0,5 mm 
  • Orientamento: (100)
  • Lucidatura: Un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A


 Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).

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