MTI  |  SKU: SIBa76D05C1R1

Wafer Si (100) 3" dia x 0,5 mm, 1sp tipo P, drogato B, resistività: 1-10 ohm-cm - SIBa76D05C1R1

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Wafer Si (100) 3" dia x 0,5 mm, 1sp tipo P, drogato B, resistività: 1-10 ohm-cm - SIBa76D05C1R1

MTI

  • Si a cristallo singolo, 
  • Conduttività: Tipo P (drogato B)
  • Resistività: 1~10 ohm-cm  (Se si desidera misurare la resistività con precisione, 
      si prega di ordinare il nostro     Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) 
  • Dimensioni: 3" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: <100>  
  • Lucidatura: Un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A


Opzionale: potrebbe essere necessario uno strumento per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare).

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