Wafer Ge (111) Ø 2" x 0..5 mm, 2SP, tipo N (drogato con Sb), R: 0,05-0,5 ohm-cm

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (111) +/_0,5 Deg.
• Dimensioni del wafer: diametro 2" x 500 micron 
• Lucidatura della superficie: due lati lucidati ad epi
• Rugosità superficiale: < 8 A (mediante AFM)
• Doping: Drogato con Sb
• Tipo di conduttore: Tipo N
• Resistività: 0,05-0,5 Ohm/cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    si prega di ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)
• EPD: 
• Confezione: camera bianca di classe 1000 
•      

Proprietà tipiche:

• Struttura:                        Cubica, a = 5,6754 A
• Densità:                          5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937.4 ^oC
• Conduttività termica:       640