Wafer Ge (110) tipo N non drogato, diametro 1" x 0,5 mm, 1SP, R:>50 ohm.cm

Specifiche del wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (110) +/_0,5 Deg.
• Dimensioni del wafer: 1" dia x 500 micron 
• Lucidatura superficiale: un lato lucidato
• Rugosità superficiale: Ra < 10 A ( by AFM)
• Doping: Undoped
• Conductor type: N-type
• Resistivity: >50 Ohm/cm  (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)                      
• Pacchetto: camera bianca di classe 1000  

Proprietà tipiche:

• Struttura: Cubica, a = 5,6754 A
• Densità: 5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione: 937,4 ^oC
• Conduttività termica: 640