Wafer Ge (110) drogato Ga, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP Resistività: 0,1-0,5 ohm-cm - GEGae50D05C2R01US

Specifiche dei wafer Ge

• Metodo di crescita: CZ
• Orientamento: (110) +/_0,5 Deg.
• Dimensioni del wafer: 2" dia x 500 micron 
• Lucidatura superficiale: due lati lucidati otticamente
• Finitura superficiale (RMS o Ra) : < 30A
• Doping: Drogato con Ga
• Tipo di conduttore: Tipo P
• Resistività: 0,1-0,5 Ohm/cm (Se si desidera misurare con precisione la resistività, 
    si prega di ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.)                       
• Pacchetto: camera bianca di classe 1000  

Proprietà tipiche:

• Struttura:                             Cubica, a = 5,6754 A
• Densità:                                5,323 g/cm3 a temperatura ambiente
• Punto di fusione:  937.4 ^oC
• Conduttività termica:             640