MTI  |  SKU: GSUa50D05C1US

Wafer GaSb (100), non drogato, 2 "x0,5 mm ,1sp

€845,25

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Wafer GaSb (100), non drogato, 2 "x0,5 mm ,1sp

MTI

Specifiche del wafer:. 

  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,5 mm,
  • Orientamento: (100)
  • Dopping: non drogato,
  • Tipo di conduzione: Tipo P.
  • Lucidatura: un lato lucidato da CMP
  • Imballaggio: camera bianca di classe 1000 in un contenitore per singolo wafer. 
  • Finitura superficiale (RMS o Ra) : < 5A           

   Proprietà tipiche

  •  Struttura cristallina: cubica a = 6,095 Å
  • Densità:                                                 5,619 g/cm3
  • Punto di fusione:                                        710 oC
  • Coltivato con una speciale tecnica LEC EPD :<10^4/cm2. 
  • Concentrazione del vettore: ( 1-3)x10^17 cm^-3
  • Mobilità: 600-700 cm^2/Vs
  • Espansione termica:                           6.1 x 10 -6 /oK
  • Conduttività termica:                          270 mW / cm.k   a 300K

Dopante

Tipo

Concentrazione del portatore

( cm-3)

Mobilità

( cm2/V.Sec)

Resistività

( ohm-cm )

EPD

(cm-2)

Non drogato

P

1.0~2.0 x 1017

600 ~ 800

~0.1

<10000

Zn

P+

2.0~5.0 x 1018

300 ~ 500

~0.004

<10000

Te

N

2.0~6.0 x 1017

2500 ~ 3500

~0.05

<10000

Alta resistività

P o N

1.0~2.0 x 1016

460

~ 1.0

<10000















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