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MTI | SKU:
GSUa101005S1
Wafer GaSb (100), non drogato, 10x10x0,5 mm, 1sp - GSUa101005S1
€148,35
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Wafer GaSb (100), non drogato, 10x10x0,5 mm, 1sp - GSUa101005S1
MTI
Specifiche del wafer:.
- Dimensioni: 10x10 x 0,5 mm,
- Orientamento: (100)
- Dopping: non drogato,
- Tipo di conduzione: Tipo P.
- Lucidatura: un lato lucidato da CMP
- Imballaggio: camera bianca di classe 1000 in un contenitore per singolo wafer.
- Struttura cristallina: cubica a = 6,095 Å
- Densità: 5,619 g/cm3
- Punto di fusione: 710 oC
- Coltivato con una speciale tecnica LEC EPD :<10^4/cm2.
- Concentrazione del vettore: ( 1-2)x10^17 cm^-3
- Mobilità: 600-700 cm^2/Vs
- EPD <3000 cm^-2
- Espansione termica: 6.1 x 10 -6 /oK
- Conduttività termica: 270 mW / cm.k a 300K
Dopante |
Tipo |
Concentrazione del portatore ( cm-3) |
Mobilità ( cm2/V.Sec) |
Resistività ( ohm-cm ) |
EPD (cm-2) |
Non drogato |
P |
1.0~2.0 x 1017 |
600 ~ 800 |
~0.1 |
<10000 |
Zn |
P+ |
2.0~5.0 x 1018 |
300 ~ 500 |
~0.004 |
<10000 |
Te |
N |
2.0~6.0 x 1017 |
2500 ~ 3500 |
~0.05 |
<10000 |
Alta resistività |
P o N |
1.0~2.0 x 1016 |
460 |
~ 1.0 |
<10000 |
