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MTI | SKU:
GPUc50D045C2US
Wafer GaP non drogato (111) 2" diaX 0,45mm 2sp, R> 7 x10^7 ohm.cm, semi-isolante
€753,25
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Wafer GaP non drogato (111) 2" diaX 0,45mm 2sp, R> 7 x10^7 ohm.cm, semi-isolante
MTI
- Wafer di GaP a cristallo singolo,
- Dimensioni: 2" di diametro (+/_0,15 mm) x 0,45 mm (+/_ 0,05 mm),
- Doping: non drogato,
- Tipo di conduzione: Tipo N,
- Orientamento: (111)+_30'
- Piatti: SEMI: PF:<110>
- SF:<112>
- Mobilità: 150 cm^2/Vs
- Resistività: >7 x10^7 ohm.cm
- Concentrazione di portatori: 9 x10^8 cm^-3
- EPD: <=8x10^4 cm^-2
- Lucido: due lati lucidati.
- Finitura superficiale (RMS o Ra) : < 8A
Proprietà fisiche tipiche |
||
Struttura del cristallo |
Cubica. a =5,4505Å |
|
Metodo di crescita |
CZ (LEC) |
|
Densità |
4,13 g/cm3 |
|
Punto di fusione |
1480 oC |
|
Espansione termica |
5.3 x10-6 / oC |
|
Dopante |
Drogato S |
non drogato |
Asse di crescita del cristallo |
<111> o <100> |
<100> o <111> |
Tipo di conduzione |
N |
N |
Concentrazione del vettore |
2 ~ 8 x1017 /cm3 |
4 ~ 6 x1016 /cm3 |
Resistività |
~ 0,03 ohm-cm |
~ 0,3 ohm-cm |
EPD |
< 3x105 |
< 3x105 |
