MTI  |  SKU: GPZnc50D045C1BUS

Wafer GaP, drogato con Zn, (111)B, 2 "x0,45 mm, 1sp

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Wafer GaP, drogato con Zn, (111)B, 2 "x0,45 mm, 1sp

MTI


Specifiche:
  • Wafer di cristallo singolo GaP
  • Doping: Drogato con Zn
  • Tipo di conducibilità: Tipo P
  • Dimensioni: 2" di diametro x 0,45 mm
  • Orientamento: (111)B
  • Lucidatura: un lato lucidato
  • Resistività: 4,2E-1 ohm.cm
  • Mobilità: 70 cmE2/Vs
  • Carer Concentrazione: 2,1E17cmE-3
  • EPD: 2,6E4 cmE-2
  • Surezza della superficie (RMS o Ra) : < 8A


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