MTI  |  SKU: SIUa76D05C1R1000

Wafer di Si (100), diametro 3 "x0,5 mm, 1sp, tipo N non drogato R:>1000 ohm.cm

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Wafer di Si (100), diametro 3 "x0,5 mm, 1sp, tipo N non drogato R:>1000 ohm.cm

MTI

  • Si a cristallo singolo, 
  • Conduttività: Tipo N (non drogato)
  • Resistività: >1000 ohm-CM
  • Dimensioni: 3" di diametro x 0,5 mm
  • Orientamento: (100) 
  • Lucidatura: Un lato lucidato
  • Rugosità superficiale: < 5A


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