Wafer di Si (100), diametro 3 "x0,35 mm, 2sp, tipo N, drogato con As, R:0,001-0,005 ohm.cm

• Cristallo singolo Si 
• Conduttività: Tipo N (drogato con As)
• Resistività: 0,001-0,005 ohm.cm  (Se si desidera misurare la resistività in modo accurato, 
    ordinare il nostro Strumento portatile a 4 sonde per prove di resistività.) 
• Dimensioni: 3" di diametro x 0,35 mm
• Orientamento: (100) 
• Lucidatura: due lati lucidati
• Rugosità superficiale: < 5A

Opzionale: può essere necessario lo strumento sotto per gestire il wafer (fare clic sull'immagine per ordinare)