MTI | SKU:
Fm300SO1SonSiUa101D05C1R5000
Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4" x 0,50 mm t, tipo N non drogato, 1SP R:>5000 ohm.cm
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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4" x 0,50 mm t, tipo N non drogato, 1SP R:>5000 ohm.cm
MTI
Strato di ossido termico
- Grado di ricerca, circa 80% di area utile
- Strato di SiO2 su un lato del wafer di silicio da 4''.
- Spessore dello strato di ossido: 300 nm ( 3000A) +/-10%
- Indice di rifrazione: 1,455
Specifiche del wafer di silicio:
- Tipo conduttivo: Tipo N/non dped
- Resistività: >5000 ohm.cm
- Dimensioni: 4 "dia +/- 0,5 mm x 0,5 mm
- Orientamento: (100) +/- 1o
- Lucidatura: un lato lucidato
- Rugosità superficiale, Ra: < 5A (RMS)
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