Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4" x 0,50 mm t, tipo N non drogato, 1SP R:>10000 ohm.cm

Strato di ossido termico

• Grado di ricerca, circa 80% di area utile
  
• Strato di SiO2 su un lato del wafer di silicio da 4''.
• Spessore dello strato di ossido: 300 nm ( 3000A) +/-10%
• Indice di rifrazione: 1,455

Specifiche del wafer di silicio:

• Tipo conduttivo: Tipo N/non dped
• Resistività: >10000 ohm.cm
• Dimensioni: 4 "dia +/- 0,5 mm x 0,5 mm
• Orientamento: (100) +/- 1^o
• Lucidatura: un lato lucidato
• Rugosità superficiale, Ra: < 5A (RMS)

Prodotti correlati

Film sottili A-Z	Wafer di cristallo A-Z	Pulitore al plasma	Contenitori per wafer	Sega per cubettatura	Rivestitore di film