Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 2" x 0,50 mm t, tipo N, drogato con As, 1 lato lucidato, R:0,001-0,005 ohm.cm - Fm300SOonSIAsa50D05C

Strato di ossido termico

• Grado di ricerca, circa 80% di area utile
  
• Strato di SiO2 su wafer di silicio da 2 pollici
• Spessore dello strato di ossido: 300 nm ( 3000A) +/-10%
• Indice di rifrazione: 1.455

Specifiche del wafer di silicio:

• Tipo conduttivo: Tipo N/ drogato As
• Resistività: 0,001-0,005 ohm-cm
• Dimensioni: 50,8 diametro +/- 0,5 mm x 0,50 +/- 0,025 mm
• Orientamento: (100) +/- 1^o
• Lucidatura: un lato lucidato
• Rugosità superficiale, Ra: < 5A (RMS)

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