MTI  |  SKU: GAZna50D05C2US5

Wafer di GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) Zn drogato di tipo P, , 2 "x0,5 mm, 2sp, (8,62-9,38) x 10^17 /cm^3

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Wafer di GaAs - Metodo di crescita: VGF (100) Zn drogato di tipo P, , 2 "x0,5 mm, 2sp, (8,62-9,38) x 10^17 /cm^3

MTI

Wafer di cristallo singolo di GaAs
Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 2" dia x 0,5 mm
Lucidatura: due lati lucidati
Doping: Zn drogato
Tipo di conduttore: S-C-P
Concentrazione del vettore: (8,62-9,38) x 10^17 /cm^3

Mobilità: 168-173 cm^2/V.S

EPD: <5000/cm^2

Resistività: (3,96-4,2)x10^-2 ohm.cm

Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm

Nota: Wafer pronti per l'EPI

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